近幾年來，本實驗室連續開展了大規模集成電路的新品檢測工作，如偵察運算電路、BCH編譯碼器、CRT地址產生電路及接口電路等，基本上都是規模較大的CMOS電路，對靜電敏感，工作速度較快。在高、低溫電性能測試中成功地采用了該集成電路高、低溫電性能測試系統，積累了一些有益的經驗。通過實際應用發現，必須注意以下一些具體的環節，如測試板的隔離、防潮，被測器件的靜電保護，被測器件芯片溫度的確定等問題，才能快速、準確地完成CMOS VLSI的高、低溫電性能測試。

    在用該高、低溫測試系統做溫度測試時，系統有溫度傳感器叮測到器件底部的溫度，雖然氣流是重直于DUT表面而下，但DUT的底部還是屬于器件表面，如何確定DUT芯片溫度的建立時間，是個比較復雜的問題。因為DUT芯片溫度的建立時間受很多因系的影響，如DUT的材料、形狀尺寸，溫度以及氣體流量的大小等因素的影響。不同的器件芯片溫度的建立時間是不一樣的，溫度建立時間是指系統變溫( 升溫獲降溫)開始，到建立新的熱平衡，即被測器件芯片溫度達到設定值這一段時間。某公司給出了1000Ω電阻溫度探測器(RTD)的溫度建立時間曲線，如圖3所示。圖3表明不同的RTD其溫度建立時間是不同的。

    DUT芯片溫度的建立時間對于高、低溫測試是非常重要的指標，只有在大于建立時間的時間段內測試，測試的數據才能真正地反映設定溫度點的性能及具有重復性。對于復雜的大規模集成電路，我們采取在開始高、低溫測試前，通過反復試驗，確定被測器件芯片溫度的建立時間。在熱流系統顯示達到設定溫度開始，對被測器件進行多次電參數測試，當其電參數趨于穩定并具有可重復性時，將這段時間確定為DUT芯片溫度的建立時間。經過反復試驗發現，系統的溫度傳感器測得的被測器件底部溫度與芯片溫度基本一致。